一、X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究（论文文献综述）
刘婧婧[1]（2016）在《纳米结构薄膜电极材料的构筑及其在CIGS薄膜光伏器件中的应用》文中研究表明太阳能发电作为一种清洁、可再生的能源,被认为是解决能源衰竭和环境污染问题的有效途径之一。太阳能电池的研制和开发日益受到人们的重视和关注。基于降低成本和大面积生产的考虑,太阳能电池薄膜化是其发展的必然趋势。在所有种类的薄膜太阳电池中,基于多晶铜铟镓硒（CIGS）吸收层的薄膜光伏器件被认为是最有希望走向大规模实际应用的薄膜光伏器件之一。尽管目前其实验室光电转换效率已超过20%,但其自身层状薄膜的结构特点使电池内部仍存在光吸收效率和载流子收集效率相互制约问题,其光电转换效率仍有较大的提升空间。纳米结构具有大的比表面积,对光具有减反射性能。在优化CIGS薄膜太阳能电池各层材料性能的同时,构筑并引入纳米结构是解决薄膜光伏器件中光吸收和载流子之间相互竞争的矛盾、进而提高电池效率的有效途径之一。本论文基于此研究思路,分别对磁控法制备CIGS薄膜太阳能电池的Mo背电极和ZnO/Al:ZnO（AZO）顶电极薄膜材料进行了系统的研究,在优化其各项工艺参数得到高质量薄膜电极材料的基础上,利用纳米微球刻蚀技术构筑了有序的Mo网格阵列结构、ZnO网格阵列结构及ZnO空腔结构,并把这些有序微纳结构引入到CIGS薄膜光伏器件中,深入研究了有序微纳结构对电池性能的影响。本论文主要开展以下三部分的研究工作:（1）背电极Mo薄膜材料和Mo网格的制备及其在CIGS光伏器件中的应用利用直流磁控溅射技术在钠钙玻璃衬底上沉积Mo薄膜。系统探索了工作气压、溅射功率、溅射时间及基片转速等参数对Mo薄膜的相结构、形貌及电阻率的影响。通过两步溅射法得到致密性好、基底黏附性好,电阻较低的Mo薄膜,所获得的Mo薄膜最小方阻为0.3??□。目前,以此工艺条件溅射的Mo薄膜作为背电极,以CIGS为吸收层的电池效率高于10%。在成功优化Mo薄膜电极材料工艺参数的基础上,利用Nanosphere Lithography（NSL）技术构筑了大面积的Mo网格阵列结构。将具有微纳有序结构的Mo薄膜应用到CIGS电池中,研究了Mo网格结构对电池器件性能的影响。（2）磁控溅射系统制备高性能AZO薄膜利用射频电源磁控溅射系统在钠钙玻璃基底上沉积了AZO薄膜。系统的研究了基底温度对AZO薄膜的形貌、晶体结构及其电学性质的影响。研究结果表明:所有的AZO薄膜均为沿C轴择优生长的六方结构。形貌和电学测试结果证实基底温度对AZO薄膜的形貌、光学和电学性能都有着重要影响。从近紫外区域到近红外区域,AZO薄膜的最高的平均透过率超过83%。最小电阻率为6.1′10-4?·cm,载流子浓度和迁移率分别为3.357′1020 cm-3和30.48 cm2/Vs。（3）ZnO薄膜和ZnO纳米结构的制备及其在CIGS光伏器件中的应用利用射频电源磁控溅射系统在钠钙玻璃上制备透过率高的本征ZnO薄膜,探索工作压强、溅射功率、溅射时间对薄膜性能影响。最终制备的薄膜厚度为50nm,透过率超过85%,电阻在兆欧以上,应用在CIGS太阳能电池中,效率超过10%。利用不同周期的PS球为模版,AZO薄膜为种子层通过水热生长构筑了不同周期的ZnO纳米结构。通过调控生长时间控制最终ZnO纳米结构的形状。研究结果表明:不同周期的ZnO纳米结构表现出明显不同的光学特性,有望进一步提高以ZnO纳米结构为基础的CIGS光伏器件的综合性能。
李良[2]（2015）在《石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及应用研究》文中进行了进一步梳理石墨烯是一种具有特殊结构和性质的新型纳米材料。因其具有超高的强度和硬度、极高的载流子迁移率、优异的室温热导率、良好的透光率和导电率等特性,在透明导电薄膜、锂离子电池、超级电容器、功能复合材料等诸多领域都具有广泛的应用前景。目前制备石墨烯的主要方法有机械剥离法、氧化还原法、化学气相沉积法、外延生长法等,其中化学气相沉积法是制备大面积高质量石墨烯薄膜的重要方法。本论文从安全性、经济性着眼,提出了以乙醇为碳源的低氢常压化学气相沉积法制备石墨烯薄膜。本论文的研究内容主要包括:（1）通过对实验工艺条件的讨论,确定了以乙醇为碳源的低氢常压化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的工艺过程及工艺参数。首先对实验设备进行改装以符合实验要求;然后通过控制实验参数制备出不同层数的石墨烯薄膜,并采用拉曼光谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜等分析测试手段对所制备的石墨烯薄膜的质量、形貌、结构进行了表征;最后通过设计实验对这种方法制备石墨烯薄膜的生长机理做出了研究。（2）采用基底刻蚀法转移石墨烯薄膜,确定了其工艺参数和过程;首次提出采用电化学转移法转移镍基多层石墨烯薄膜;基于长期试验观察提出自支撑转移法转移石墨烯薄膜,并将其应用到制备石墨烯/金属复合夹层材料及软X射线激光器滤光片用自支撑保护膜上。（3）基于自支撑转移法确定了制备石墨烯/金属复合材料的制备过程,并通过不同的制样方式获得了复合夹层材料的扫描电子显微镜图,并对其质量结构进行了研究。（4）基于石墨烯的可饱和吸收性制备基于石墨烯为功能相的石墨烯激光锁模器件,确定其工艺过程并对实验影响因素进行了探讨。最后通过对锁模效果的测试,分析了所制备的石墨烯锁模器件的性能。通过对上述内容展开的研究和分析,本文得到了以下几个方面的规律:（1）采用以乙醇为碳源的低氢常压化学气相沉积法能够制备出不同层数质量良好较大面积的石墨烯薄膜。（2）采用乙醇为碳源的低氢常压化学气相沉积法制备石墨烯薄膜的生长机理是,乙醇在高温条件下裂解出的碳原子向预热后向处于高化学活性的铜基底表面扩散迁移,铜在高温条件下主要起到类似催化剂的作用。当碳原子吸附到铜基底上后,开始在铜表面化学活性较高处形成晶核并开始生长。初始晶粒持续长大形成岛状晶畴,相邻晶畴接触后形成达微米量级的树枝状薄片。当石墨烯薄膜遇到铜表面晶界时,可以跨越铜基底表面晶界生长直至形成完整薄膜。（3）通过对实验结果的分析可知,基底刻蚀法是完好转移石墨烯的成熟方法。转移过程中旋涂PMMA的工艺参数为:4wt%PMMA/苯甲醚溶液,初转转速1000 r.p.m.,初转时间60 s,终转转数2000 r.p.m,终转时间120 s;电化学转移法能够应用于以镍为代表的生长多层石墨烯的金属基底上,分离时间与电流大小成正比关系。而当电流大于0.1A时,由于生成气泡速率过快极易导致薄膜破裂;自支撑转移法是转移少层石墨烯薄膜的一种简便方法,可以应用于软X射线激光器滤光片用自支撑保护膜及石墨烯基激光锁模器件的制备中。（4）采用层层组装方法可以制备出分层结构完好的石墨烯/Au复合夹层材料,为简化制备石墨烯/金属复合材料开辟了路径。（5）石墨烯薄膜作为功能相能够制备出激光锁模器件。石墨烯锁模器件端面的洁净程度对其锁模效果具有直接影响,而石墨烯薄膜在干燥过程中形成的褶皱则对锁模效果没有直接明显影响。
张艳霞[3]（2013）在《Mo薄膜的制备工艺与性能的相关性研究》文中提出高熔点稀有金属Mo具有延展性、导热、导电性能好,抗腐蚀能力强等特点,在工业领域、航天领域、以及微电子领域得到广泛应用。其中Mo薄膜是一种重要的散射层材料,Ti-Mo合金膜应用前景广泛,MoN薄膜在摩擦磨损构件中应用广泛。随着CIGS太阳电池的研究和发展,发现Mo可以作为CIGS薄膜太阳电池的背电极层,而且是目前最适合的被接触层。此外,Mo薄膜作为CIGS的背电极,薄膜质量直接影响CIGS吸收层的形核、生长,进而影响太阳电池的效率。目前,有关背电极的一些研究还不太清楚。本论文利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃衬底上沉积Mo薄膜,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、台阶仪、四探针电阻仪、霍尔测试仪等测试手段对薄膜进行了表征。研究了沉积时间、薄膜厚度、退火温度、衬底温度等工艺参数对直流溅射沉积的Mo薄膜的相结构、表面形貌以及电性能的影响。结果表明：（1）先高气压再低气压沉积的双层Mo薄膜,高气压沉积的缓冲层结晶质量差,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性。随着顶层沉积时间的增加,薄膜结晶性能变好,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性。与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,降低成本,更符合CIGS电池背电极的需求。（2）保持双层Mo薄膜的总厚度不变,改变低气压层膜与高气压层膜的厚度比例,研究了不同退火温度对双层Mo薄膜结构、形貌和电学性能的影响。随着高气压层薄膜厚底的增加,薄膜质量变差,电阻率增加。室温下薄膜结晶差,电阻率大,处于压应力状态。在200～400℃的退火温度范围内,随着温度升高,薄膜的结晶质量提高,电阻率单调减小。然而退火温度过高会使薄膜质量降低,当退火温度升高到500℃后,薄膜变得疏松,电阻率增大,退火后的双层Mo薄膜处于拉应力状态。因此Mo背电极薄膜的最佳退火温度为400℃。（3）在不同的衬底温度下制备的Mo薄膜,由RT升高到300℃,薄膜结晶质量、电阻率变化不大。升高到400℃时,结晶质量变好,电阻率降低。500℃时,薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜表面粗糙度增加,致密性下降,方块电阻和电阻率增大。可能原因是衬底温度过高造成了沉积原子的反蒸发,降低了薄膜的致密性。对单层Mo薄膜,主要研究沉积时间对薄膜取向的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短,Mo薄膜呈（110）择优取向,薄膜表面分布三角形颗粒,电阻率小,对应薄膜生长的晶带模型是晶带T型组织。溅射时间超过15min后,薄膜呈现（211）取向生长,且（211）晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。薄膜表面分布长条形颗粒,电阻率大,薄膜生长的晶带模型为晶带2组织。
曹德峰,万小波,邢丕峰,易泰民,杨蒙生,郑凤成,徐导进,王昆黍,楼建设,孔泽斌,祝伟明[4]（2013）在《工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响》文中指出利用直流磁控溅射技术在单晶Si（110）基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0.8 Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小。
曹鸿,张传军,王善力,褚君浩[5]（2012）在《磁控溅射制备Zr膜的应力研究》文中进行了进一步梳理为了研究磁控溅射方法制备的Zr膜的应力分布情况,采用探针轮廓仪测量镀膜前后基片在1维方向上的形变,根据镀膜前后基片曲率半径的变化和Stoney公式,用自编应力计算软件计算出薄膜的内应力。结果表明,Zr膜中主要存在的是压应力,且分布不均匀;工作气压对Zr膜内应力影响不大,但膜厚对Zr膜内应力影响较大,且随膜厚的增加,Zr膜中压应力减小。
曹鸿,张传军,王善力,褚君浩[6]（2012）在《聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究》文中认为为了研究静置时间、液面下降速度对聚苯乙烯（C8H8）滤光膜厚度和均匀性的影响,采用浸渍法制备了C8H8滤光膜,通过改变静置时间、液面下降速度,制备了不同的样品。用Vecco Dektak6.0探针轮廓仪测量样品厚度,利用插值法方法,研究了C8H8滤光膜与静置时间、液面下降速度的关系。结果表明,静置时间和液面下降速度对C8H8薄膜厚度和均匀性有很大影响;静置时间越短,液面下降速度越小,浸渍法制备的C8H8滤光膜的均匀性越好。
付联效,吴永刚,伍和云,焦宏飞,吕刚,王振华[7]（2009）在《30.4nm Cr/Al/Cr自支撑滤光片的研制》文中研究指明依据材料的质量吸收系数和波长的关系,选择Cr和Al设计和制备30.4 nm自支撑滤光片。在制备时以NaCl为脱膜剂,以热蒸发方式蒸镀Al,以电子束蒸发方式蒸镀Cr,制备了30.4 nm的Cr/Al/Cr自支撑滤光膜,并对滤光片的表面缺陷进行了分析。通过显微镜观察,滤光膜均匀纯净,无明显针孔。Cr/Al/Cr自支撑滤光片在合肥国家同步辐射实验室进行了测量,Cr/Al/Cr厚度为5 nm/500 nm/5 nm和12.5 nm/500nm/12.5 nm的滤光片在30.4 nm波长处的透过率分别为7.6%和4.6%,透过率曲线和理论计算基本一致。用紫外分光光度计测量得滤光片在200800 nm波长范围的透过率小于0.02%,满足使用要求。
朱继国,丁万昱,王华林,张树旺,张粲,张俊计,柴卫平[8]（2008）在《Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响》文中提出利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。
朱继国[9]（2008）在《直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜及其性能研究》文中指出寻找廉价、可再生的新型清洁能源己成为当前人类面临的迫切课题。CIS/CIGS薄膜太阳电池以其廉价、高效、性能稳定等优点,成为当今光伏界乃至新能源开发领域的研究热点之一。Mo薄膜作为CIS/CIGS薄膜太阳电池的背接触,其性能的好坏会直接影响到吸收层CIGS薄膜的形核、生长以及表面形貌,进而对电池性能也会产生重要影响。目前国内还很少有人对背接触Mo薄膜进行研究。本论文主要是利用直流脉冲磁控溅射方法在普通钠钙玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜的研究。通过台阶仪、X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针电阻仪、紫外-可见分光光度计等仪器对薄膜进行表征,分析了Ar气压强、脉冲功率、靶基距等工艺参数对Mo薄膜生长特性、结构、表面粗糙度以及光电性能的影响,并对不同厚度Mo薄膜的特性进行了研究。研究结果表明,在低的Ar气压强和高的脉冲功率下沉积的Mo薄膜晶粒尺寸较大,结晶质量较好,表面粗糙度Ra在10nm以下,薄膜在（110）方向上择优取向,电阻率较低（10～20μ?·cm）,波长190～850nm范围内的平均反射率较大（58～65%）,薄膜具有优良的光电性能;Ar气压强的增大或脉冲功率的减小都将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量变差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。靶基距为110mm时薄膜具有最低的电阻率和最高的光反射率,靶基距过大或过小都会对薄膜的光电性能产生不利影响。随着薄膜厚度的增加,Mo薄膜（110）衍射峰逐渐增强,晶粒长大,薄膜电阻率减小,平均反射率先增大后缓慢下降。薄膜厚度为35.9nm时,波长300～850nm范围内的平均反射率最大,为69.11%;当厚度为3258.9nm时,薄膜电阻率最低,为12.15μ?·cm。最后,根据实验室现有条件,对下一步要进行的工作和需要解决的问题进行了展望。
曹鸿,吴永刚,宋连科[10]（2008）在《浸渍法制备聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究》文中研究说明利用浸渍法制备了聚苯乙烯（C8H8）滤光膜,通过改变薄膜在溶液气氛中的静置时间,制备了不同的样品.用-αstep100台阶仪测量样品厚度,并研究了薄膜均匀性与静置时间的关系.结果表明,静置时间对C8H8滤光膜的均匀性是有影响的.用插值方法进行拟合,修正了计算膜层厚度的Landau-Levich理论公式,修正后的公式可适用于固化的薄膜厚度计算.
二、X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究（论文提纲范文）
（1）纳米结构薄膜电极材料的构筑及其在CIGS薄膜光伏器件中的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 CIGS薄膜太阳能电池及其研究现状 |
| 1.2.1 CIGS薄膜太阳能电池的基本原理 |
| 1.2.2 CIGS薄膜太阳能电池结构 |
| 1.2.3 CIGS薄膜太阳能电池的研究现状 |
| 1.3 有序纳米结构的构筑方法 |
| 1.3.1 光刻技术 |
| 1.3.2 纳米压印技术 |
| 1.3.3 电子束刻蚀技术 |
| 1.3.4 胶体球刻蚀技术 |
| 1.4 有序纳米结构在器件中的应用 |
| 1.4.1 纳米结构增加界面面积及提高载流子传输效率 |
| 1.4.2 纳米阵列结构抗反射性能 |
| 1.5 目前存在的主要问题 |
| 1.6 论文的研究目的、思路及方法 |
| 1.6.1 论文研究目的及思路 |
| 1.6.2 论文主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 Mo电极薄膜和Mo网格的制备及其在光伏器件中的应用 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 试剂和仪器 |
| 2.2.2 实验过程 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 直流电源磁控溅射Mo薄膜及其结构性能分析 |
| 2.3.2 Mo薄膜在CIGS薄膜太阳能电池中的应用 |
| 2.3.3 构筑Mo网格结构及其在CIGS薄膜太阳能电池中的应用 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 磁控溅射沉积AZO薄膜 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 试剂和仪器 |
| 3.2.2 实验过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 基底温度对AZO薄膜结构性能的影响 |
| 3.3.2 基底温度对AZO薄膜形貌演变过程的影响 |
| 3.3.3 基底温度对AZO薄膜光学和电学性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 ZnO薄膜和纳米结构的制备及在CIGS器件中的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 试剂和仪器 |
| 4.2.2 实验过程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 溅射功率对ZnO薄膜性能的影响 |
| 4.3.2 溅射气压对ZnO薄膜透过率的影响 |
| 4.3.3 ZnO薄膜在CIGS薄膜太阳能电池中的应用 |
| 4.3.4 不同生长时间对ZnO空腔阵列结构形貌及结晶性的影响 |
| 4.3.5 不同周期ZnO空腔结构的形貌及光学性能 |
| 4.3.6 ZnO空腔结构在CIGS薄膜光伏器件中的应用 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 工作总结 |
| 总结 |
| 存在的问题与展望 |
| 硕士期间发表和已完成的论文与工作 |
| 致谢 |
（2）石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 石墨烯制备方法 |
| 1.2.1 机械剥离法 |
| 1.2.2 氧化还原法 |
| 1.2.3 化学气相沉积法 |
| 1.2.4 外延生长法 |
| 1.3 石墨烯的应用 |
| 1.3.1 透明导电薄膜 |
| 1.3.2 纳米电子器件 |
| 1.3.3 超级电容器 |
| 1.4 石墨烯表征技术 |
| 1.4.1 拉曼光谱 |
| 1.4.2 扫描电子显微镜 |
| 1.4.3 透射电子显微镜 |
| 1.4.4 原子力显微镜 |
| 1.5 本论文的研究目的及主要研究内容 |
| 1.5.1 研究目的意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 2 化学气相沉积法制备石墨烯薄膜 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 实验基本条件的选定 |
| 2.3 实验仪器改装 |
| 2.4 石墨烯薄膜制备工艺 |
| 2.5 实验结果及讨论 |
| 2.5.1 石墨烯薄膜宏观形貌分析 |
| 2.5.2 石墨烯薄膜微观形貌分析 |
| 2.5.3 石墨烯薄膜拉曼分析 |
| 2.5.4 石墨烯薄膜透射电镜分析 |
| 2.6 以乙醇为碳源低氢常压CVD法制备石墨烯的生长机理研究 |
| 2.7 石墨烯薄膜特性研究 |
| 2.7.1 石墨烯薄膜疏水特性 |
| 2.7.2 石墨烯薄膜防静电特性 |
| 2.7.3 石墨烯薄膜防氧化性 |
| 2.8 小结 |
| 3 石墨烯薄膜转移工艺研究 |
| 3.1 主要试剂和仪器 |
| 3.2 基底刻蚀法转移工艺研究 |
| 3.3 电化学转移法工艺研究 |
| 3.4 自支撑特性转移法工艺研究 |
| 3.5 小结 |
| 4 石墨烯/金属复合材料的制备工艺研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 主要试剂和仪器 |
| 4.3 层层组装法制备石墨烯/Au复合材料制备工艺 |
| 4.4 样品性能测试及表征 |
| 4.5 小结 |
| 5 石墨烯薄膜应用 |
| 5.1 锁模光纤激光器 |
| 5.1.1 石墨烯激光锁模效果验证 |
| 5.1.2 锁模器件制备工艺探索 |
| 5.1.3 石墨烯锁模器件制备工艺优化总结 |
| 5.2 自支撑X射线滤光膜保护膜 |
| 5.3 小结 |
| 6 主要结论与展望 |
| 6.1 主要结论 |
| 6.2 下一步工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 |
（3）Mo薄膜的制备工艺与性能的相关性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 Mo的性质 |
| 1.1.1 Mo的物理性能 |
| 1.1.2 Mo的化学性能 |
| 1.2 Mo主要用途 |
| 1.3 CIGS薄膜太阳电池 |
| 1.3.1 CIGS太阳电池的工作原理 |
| 1.3.2 CIGS太阳电池的结构 |
| 1.4 CIGS薄膜太阳电池的背电极 |
| 1.4.1 CIGS薄膜太阳电池背电极的选材 |
| 1.4.2 背电极Mo薄膜国内外研究现状 |
| 1.4.3 背电极Mo薄膜的研究意义 |
| 1.5 本论文研究的内容和意义 |
| 第二章 Mo薄膜的制备工艺和表征手段 |
| 2.1 Mo薄膜的制备方法 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜技术简介 |
| 2.1.2 磁控溅射镀膜的优点 |
| 2.2 薄膜的形成与生长 |
| 2.2.1 薄膜的形成与生长概述 |
| 2.2.2 薄膜的行核与生长 |
| 2.2.3 溅射薄膜的生长模式 |
| 2.3 Mo薄膜的制备装置、制备流程以及表征手段 |
| 2.3.1 制备装置 |
| 2.3.2 Mo薄膜的制备流程 |
| 2.3.3 Mo薄膜的表征方法 |
| 第三章 双层Mo薄膜的工艺参数对薄膜性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 双层Mo薄膜的制备工艺与性能的相关性研究 |
| 3.2.1 实验条件 |
| 3.2.2 Mo薄膜的相结构 |
| 3.2.3 Mo薄膜的表面形貌 |
| 3.2.4 Mo薄膜的电阻率 |
| 3.2.5 Mo薄膜的电阻率-温度关系 |
| 本节小结 |
| 3.3 退火温度对双层Mo薄膜的结构和性能的影响 |
| 3.3.1 实验条件 |
| 3.3.2 退火温度对Mo薄膜晶体结构的影响 |
| 3.3.3 退火温度对Mo薄膜表面形貌的影响 |
| 3.3.4 退火温度对Mo薄膜电性能的影响 |
| 本节小结 |
| 3.4 衬底温度对双层Mo薄膜结构和性能的影响 |
| 3.4.1 实验条件 |
| 3.4.2 衬底温度对Mo薄膜晶体结构的影响 |
| 3.4.3 衬底温度对Mo薄膜表面形貌的影响 |
| 3.4.4 衬底温度对Mo薄膜电性能的影响 |
| 本节小结 |
| 第四章 溅射时间对Mo薄膜取向和性能的影响 |
| 4.1 实验条件 |
| 4.2 薄膜的相结构 |
| 4.3 薄膜的表面及断面形貌 |
| 4.4 薄膜的电性能 |
| 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果 |
（4）工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响（论文提纲范文）
| 1 实验 |
| 1.1 样品制备 |
| 1.2 样品表征 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 工作气压对Mo薄膜沉积速率的影响 |
| 2.2 工作气压对Mo薄膜表面粗糙度的影响 |
| 2.3 工作气压对Mo薄膜表面形貌的影响 |
| 2.4 工作气压对Mo薄膜结构的影响 |
| 3 结论 |
（5）磁控溅射制备Zr膜的应力研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 应力测试 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 应力分布研究 |
| 2.2 工作气压对应力的影响 |
| 2.3 膜厚对应力的影响 |
| 3 结 论 |
（6）聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 C8H8滤光膜的制备 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 静置时间对膜厚和均匀性的影响 |
| 2.2 液面下降速度对膜厚和均匀性的影响 |
| 3 结 论 |
（7）30.4nm Cr/Al/Cr自支撑滤光片的研制（论文提纲范文）
| 1 基本理论 |
| 2 自支撑复合滤光片的设计 |
| 3 30.4 nm Cr/Al/Cr自支撑复合滤光膜的制备 |
| 4 滤光片的测试 |
| 5 滤光膜表面缺陷分析 |
| 6 结 论 |
（8）Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响（论文提纲范文）
| 1 引言 |
| 2 实验 |
| 3 结果和讨论 |
| 3.1 Ar气压强对Mo薄膜沉积速率的影响 |
| 3.2 薄膜结构及应力分析 |
| 3.3 薄膜电学性能 |
| 3.4 薄膜紫外-可见光反射光谱 |
| 4 结论 |
（9）直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 太阳电池工作原理及发展现状 |
| 1.1.1 太阳电池工作原理 |
| 1.1.2 太阳电池发展现状 |
| 1.1.3 太阳电池的应用 |
| 1.2 CIS/CIGS 薄膜太阳电池及其背接触Mo 薄膜 |
| 1.2.1 CIS/CIGS 薄膜太阳电池 |
| 1.2.2 太阳电池背接触Mo 薄膜 |
| 1.3 背接触Mo 薄膜的制备方法 |
| 1.3.1 光化学气相沉积 |
| 1.3.2 等离子体增强化学气相沉积 |
| 1.3.3 电子束蒸发 |
| 1.3.4 溅射沉积法(SD) |
| 1.4 本论文的研究目的及研究内容 |
| 第二章 直流脉冲磁控溅射系统及Mo 薄膜的制备与表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 直流脉冲磁控溅射系统简介 |
| 2.2.1 直流脉冲电源工作原理及特点 |
| 2.2.2 直流脉冲磁控溅射系统及技术特点 |
| 2.3 背接触Mo 薄膜的制备 |
| 2.3.1 玻璃衬底的清洗 |
| 2.3.2 Mo 薄膜的制备工艺流程 |
| 2.4 背接触Mo 薄膜表征所使用的测试技术 |
| 2.4.1 薄膜厚度及表面粗糙度表征 |
| 2.4.2 薄膜光学性能表征 |
| 2.4.3 薄膜电学性能表征 |
| 2.4.4 X 射线衍射(XRD)分析 |
| 2.4.5 扫描电镜(SEM)分析 |
| 本章小结 |
| 第三章 工艺参数对Mo 薄膜结构及性能影响的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Ar 气压强对Mo 薄膜结构及性能的影响 |
| 3.2.1 实验条件 |
| 3.2.2 Ar 气压强对Mo 薄膜沉积速率的影响 |
| 3.2.3 薄膜结构及应力分析 |
| 3.2.4 Ar 气压强对Mo 薄膜表面粗糙度的影响 |
| 3.2.5 Ar 气压强对薄膜电学性能的影响 |
| 3.2.6 薄膜的紫外-可见光反射光谱 |
| 3.3 脉冲功率对Mo 薄膜结构及性能的影响 |
| 3.3.1 实验条件 |
| 3.3.2 沉积速率与脉冲功率的关系 |
| 3.3.3 XRD 分析 |
| 3.3.4 脉冲功率对Mo 薄膜表面粗糙度的影响 |
| 3.3.5 薄膜电学性能分析 |
| 3.3.6 薄膜的紫外-可见光反射光谱 |
| 3.4 靶基距对Mo 薄膜结构及性能的影响 |
| 3.4.1 实验条件 |
| 3.4.2 靶基距对薄膜沉积速率的影响 |
| 3.4.3 XRD 分析 |
| 3.4.4 靶基距对Mo 薄膜表面粗糙度的影响 |
| 3.4.5 薄膜电学性能分析 |
| 3.4.6 薄膜紫外-可见光反射光谱 |
| 本章小结 |
| 第四章 薄膜厚度对背接触Mo 薄膜结构形貌及光电性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验条件 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.3.1 沉积时间对薄膜厚度及沉积速率的影响 |
| 4.3.2 XRD 分析 |
| 4.3.3 薄膜表面形貌分析 |
| 4.3.4 薄膜电学性能分析 |
| 4.3.5 薄膜光学性能分析 |
| 本章小结 |
| 第五章 结论及未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、X射线激光自支撑Mo滤光膜的制备及特性研究（论文参考文献）
- [1]纳米结构薄膜电极材料的构筑及其在CIGS薄膜光伏器件中的应用[D]. 刘婧婧. 河南大学, 2016(03)
- [2]石墨烯薄膜的化学气相沉积法制备及应用研究[D]. 李良. 西南科技大学, 2015(02)
- [3]Mo薄膜的制备工艺与性能的相关性研究[D]. 张艳霞. 西南交通大学, 2013(11)
- [4]工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响[J]. 曹德峰,万小波,邢丕峰,易泰民,杨蒙生,郑凤成,徐导进,王昆黍,楼建设,孔泽斌,祝伟明. 表面技术, 2013(01)
- [5]磁控溅射制备Zr膜的应力研究[J]. 曹鸿,张传军,王善力,褚君浩. 激光技术, 2012(06)
- [6]聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究[J]. 曹鸿,张传军,王善力,褚君浩. 激光技术, 2012(05)
- [7]30.4nm Cr/Al/Cr自支撑滤光片的研制[J]. 付联效,吴永刚,伍和云,焦宏飞,吕刚,王振华. 强激光与粒子束, 2009(02)
- [8]Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响[J]. 朱继国,丁万昱,王华林,张树旺,张粲,张俊计,柴卫平. 微细加工技术, 2008(04)
- [9]直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜及其性能研究[D]. 朱继国. 大连交通大学, 2008(05)
- [10]浸渍法制备聚苯乙烯滤光膜均匀性的研究[J]. 曹鸿,吴永刚,宋连科. 曲阜师范大学学报(自然科学版), 2008(01)