一、存储有望再现“摩尔定律”（论文文献综述）
胡晓华,熊诗圣[1]（2021）在《先进光刻技术：导向自组装》文中提出导向自组装（Directed Self-Assembly, DSA）光刻技术是一种极具发展潜力的新型图形化工艺,已被国际器件与系统路线图（International Roadmap for Devices and Systems, IRDS）列为下一代光刻技术的主要候选方案。DSA光刻技术是基于嵌段共聚物（Block Copolymer, BCP）自组装构建高分辨图案,能够突破传统光学光刻的衍射极限,具有高通量、低成本和延续性好等显着优势,已成为半导体工艺技术中的研发热点。将DSA与其它光刻技术如极紫外（Extreme Ultraviolet, EUV）光刻、深紫外（Deep Ultraviolet, DUV）光刻、紫外光刻和纳米压印光刻（Nanoimprint Lithography, NIL）等相结合,能极大地提高加工结构的分辨率以及器件的密度。目前,DSA光刻技术已被应用于鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor, FinFET）、存储器和光电子器件等领域,以期实现高密度集成和高效率低成本制造。本文对DSA光刻技术的原理、材料、工艺、应用以及在工业化进程中所面临的机遇和挑战进行全面的综述。
赵雅新[2]（2021）在《The Globotics Upheaval:Globalization,Robotics, and the Future of Work（节选）英汉翻译实践报告》文中研究指明
钟世莉[3]（2021）在《《技术陷阱》（第十二章）翻译报告》文中指出
徐健豪[4]（2021）在《微小焊点Sn/ENIG等温时效与电迁移》文中研究说明
王紫云[5]（2021）在《《量子计算及其在空气动力学中的应用前景》英译实践报告》文中研究说明
杨赫[6]（2021）在《网络媒体电子竞技传播效果的影响因素与评价体系研究》文中研究指明爆发式增长的用户基数、游戏理念的不断进步和商业资本的推波助澜,逐渐剥去包裹在电子竞技外部饱含隐秘和禁忌色彩的坚硬外壳,使之成为富有时代特征的数字竞技项目。而作为风靡世界的文化符号,电子竞技同样引发媒介的高度关注,并且已经成为中国网络媒体传播中的“新势力”。现阶段,“电竞热”仍然在持续升温,但表面的浮华却难掩网络媒体电子竞技传播的现实困境,随着产业规模的不断扩大,各利益相关主体需求的日益增长,初期依靠资本植入的粗犷式发展已经开始后继乏力,客观上出现了传媒实践先于理论指导、平台发展与价值定位模糊不清、评价模式不够完善等问题,而其症结则在于学界和业界对网络媒体电子竞技传播效果理论建构、影响因素和评价体系的认知与实践不足。现阶段,电子竞技和网络媒体传播分别回应了当前中国社会不断突显的竞争意识、时间性和效率思想,以及人们普遍对于身份流动、自由连通和共享叙事的渴望,两者不断融合、相互补充,形成了一种极具张力的统摄性娱乐装置。具体而言:一方面,随着盈余时代的到来和技术赋能的不断提升,用户的主体性不断增强,网络媒体电子竞技传播的游戏表象进一步突显,趣味性、个性释放、自我选择与控制的外显表征也更加具体;另一方面,随着平台资本主义下隐性剥削机制的逐步建立,数字产消者逐渐取代“受众商品”,主导着网络传播中的商业化思维和价值攫取。换言之,平台与用户之间的关系正在演变成为网络媒体电子竞技传播的新秩序。本文以传播游戏理论、游戏批评理论体系和框架理论为指导,以网络媒体电子竞技传播效果的理论建构、影响因素与评价体系为研究主线,综合运用文献资料法、扎根理论分析法、德尔菲法、模糊综合评价法、实地调查法和案例分析法等,阐释网络媒体传播效果的发生机制与内涵结构,分析网络媒体电子竞技传播效果的影响因素与作用机制,梳理中国网络媒体电子竞技传播的现实问题,构建网络媒体电子竞技传播效果的评价体系,并且结合具体案例进行实证评估,最终提出具有指导性、层次性的优化策略。力求能够在传播学视域下,完善电竞传播研究的理论体系,为中国网络媒体电子竞技传播实践提供参考和依据,从而强化其服务大众的功能,实现社会价值与经济效益的同步提升。研究认为:（1）在传统框架理论视角下,网络媒体电子竞技传播效果源自于媒介框架和受众框架之间的相互博弈。首先,在框架的背后存在网络媒体商业化趋势、电子竞技的青年亚文化特征两大“隐形推手”;其次,博弈的维度是以具身体验为基础的“认同”和因数字劳动所引发的“消费”;最后,博弈的结果则表现为经由具身体验产生情感认同、行为认同和身份认同,以及在数字劳动中形成符号消费、权力消费和空间消费,并且它们分别具有形塑网络商业思维、建构网络文化关系的功能。由此可见,在网络媒体商业化、平台化,受众数字化、用户化的环境中,“体验”与“劳动”之间的相互置换成为用户的身体感知与价值生产的源动力,结合现实语境分析,两者又分别指向了游戏的经验性和资本化,并且推动了以文本变革为核心的网络电子竞技传播游戏化进程。（2）网络媒体电子竞技传播效果本质上是因信息流动引起受众认知、态度和行为的变化,以及由此产生的综合影响。通过考察电子竞技网络媒体传播的游戏范式,并且询唤出用户作为玩家的主体性,从而赋予了其传播效果更为明确的指向性,即文本呈现、主观体验和价值生产3个维度:首先,从游戏表象的视角分析,作为具备生产复数化故事的超叙事系统,网络媒体电子竞技传播兼具控制与规则等核心游戏元素,并且整合了游戏文本设计理念,故参照游戏批评的第一向度,将文本呈现效果（用户对于文本的感知与理解）解构为叙事叙述效果、机制创设效果、审美匹配效果和技术应用效果;其次,“双环境化”造成用户角色与行为双重性,此时符号的功能只存在于游戏之内,但是符号的感知与识别却来源于现实经验,所以用户通常在功利性或抵抗性的活动中不断寻求自我价值,故主观体验效果具体表现为情感沉浸、交互体验和自我实现;最后,用户作为游戏玩工所进行的劳动,兼具非物质劳动和数字劳动的双重属性,网络媒体电子竞技传播依靠数字秩序,赋予并改造了用户新的身份政治和身体关系,客观上形成了以“生产-流通-消费-再生产”为核心的价值链,并且其中的每一个环节都具备创造价值的能力。而在上述价值链中,前两个部分可以被概括为是劳动成果,后两个部分则分别对应价值转化效果与经验塑造效果。（3）运用扎根理论分析法,经由三级编码,得出网络媒体电子竞技传播效果的影响因素包括用户差异、环境条件、平台建设、盈利能力、责任意识和创新实践6个主范畴与其下属的24个子范畴。将网络媒体电子竞技传播作为一个整体,其盈利能力属于目标导向性因素,责任意识属于环境制约性因素,创新实践属于竞争动力性因素,能够直接影响其传播效果;而用户差异、环境条件和平台建设则是形成上述三个主范畴的前提条件,故能够通过对于三者的作用,进而影响网络媒体电子竞技的传播效果。通过理论对话发现,本文的影响因素模型在内涵与关系层面,能够展现网络媒体电子竞技传播效果发生机制的要素与特征,并且具备了解释网络媒体电子竞技传播游戏范式的能力,客观上同第三章的理论基础形成呼应。与此同时,该模型也符合“O-S-O-R”研究模式中两次对于受众差异（两个“O”）的认知,并且与游戏化设计模型中,以“感知-意图-行为”为主线的用户体验路径关联度较高。本文以该影响因素模型为问题分析框架,从商业创收、责任履行和创新扩散三个层面,分别对现阶段网络媒体电子竞技的传媒实践进行分析,发现其存在资本植入过度、内容良莠不齐、专业性仍需强化、文化定位尚需明确、用户媒介素养和电竞形象构建有待提升等问题,进而围绕刺激用户生产、塑造文化氛围、注重文本互动三个维度,总结得出网络媒体电子竞技传播的趋势特征。（4）基于文本呈现、主观体验和价值生产的传播效果内涵结构,经由理论推导、文献分析和走访调查初拟评价体系,进而采用德尔菲法和加权平均法,通过两轮专家咨询完成评价指标的筛选,并且对每一项指标进行赋权,最终构建起由3项一级指标、11项二级指标、29项三级指标组成的网络媒体电子竞技传播效果评价体系。该评价体系以游戏化传播为基础,从网络媒体的视角出发,深入考察用户参与电竞传播过程中的感知、体验与行为趋势,从而实现对网络媒体电子竞技传播效果的衡量与评判。本文利用该评价体系,基于问卷调查数据,运用模糊综合评价法,对T体育媒体英雄联盟S10传播效果和H直播平台2020CF全明星赛传播效果进行评价,得出的结果分别为3.5295（较好水平）和3.0238（一般水平）。进而通过对于评价结果纵向的相互比较,以及横向的综合比较,认为其基本符合现实情况,说明该评价体系具有一定的应用价值,但在机制、审美、价值生产和负面效果等评价维度仍然需要改进。进一步分析,将该评价体系同业界的工作总结与观赛报告进行比较,发现其与现阶段网络媒体的电竞传播实践具有较高的契合性,并且其所包含的用户主观评价,能够有效弥补业界算法程序评价的不足,但在过程评价、趋势预判和市场衡量等方面的精确度与适配性也有待进一步提升。（5）总体而言,网络媒体应以中国“政府+产业”的电竞产业模式转型为契机,促进本土电竞文化由资本催化向文化自生转变,并且参考游戏化传播的研究成果,重点关注电竞传播过程中的游戏化叙事、游戏化体验和游戏化规制;具体而言,网络媒体应不断提升文本的完整度和新颖性,进一步强化复合现实的情景体验,加快平台化转型发展的速度,保证用户认知的正向性、情感输出的积极性和生产的时间与效率;从长期发展的视角分析,网络媒体电子竞技传播效果的优化并非仅仅需要媒体平台自身的努力,而是要依靠政策的支持与政府的调控,紧密结合中国电竞产业链中的各个主体,引导优质人才的培养方向,以规范化管理促进用户媒介素养的提升。
杨柳[7]（2021）在《对应力发光材料CaTiO3:Pr3+局域压电性和薄膜HfLaOx铁电性的探究》文中进行了进一步梳理自从1880年压电性被报道以来,人们对压电材料的开发和力-电耦合效应进行了不断深入的研究。压电性是指晶体在外界应力作用下发生极化,在力的垂直方向两表面产生等比例电荷的现象,铁电性是指在没有施加外界应力作用时晶体内也存在自发极化的现象。压电体被广泛应用于驱动器和传感器等方面,同时压电性也被认为在应力发光材料中发挥重要作用。铁电体属于压电体的一种,在存储器和大规模集成电路元器件方面应用前景广阔。但是当前的压电性和铁电性的研究在微观领域探索有限,在中心对称结构的新型材料中出现压电性及铁电性的现象尚未解释清楚。压电响应力显微镜方法是基于逆压电效应在微观尺度表征压电性的一种有效手段。本文使用压电响应力显微镜技术分别对应力发光材料的压电性和铁电超薄膜的铁电性在微观尺度进行研究,探究了压电性在应力发光机理中的作用,通过非线性谐振响应测试方法等测试手段表征了薄膜的铁电性。本文的研究包括以下两个方面:（1）CaTiO3:Pr3+材料中局域压电性诱导应力发光机理的探究。可再生的应力发光被应用在应力传感器、照明、显示和生物激发等不同领域。然而,高效的可再生的应力发光材料通常是以非中心对称晶格为基质构造,限制了基质材料的选择,能否使用中心对称基质构造应力发光材料成为一个亟需解决的问题。在本文中,我们发现具有中心对称结构的长余辉材料CaTiO3:Pr3+在机械压缩和摩擦的刺激下能够产生高亮度的可再生应力发光。通过热释光和压电响应力显微技术的研究,我们发现结构缺陷引起的局部压电效应对被陷阱捕获的电子脱陷起关键作用,使得CaTiO3:Pr3+中产生可再生应力发光。根据上述实验结果,我们确认了中心对称晶格能够成为实现高效率可再生应力发光材料基质的选择,这有望拓宽设计新型应力发光材料的视野。（2）基于Ga As化合物半导体上La掺杂Hf O2的薄膜铁电性的探究。超薄铪基氧化物栅介质薄膜在应变调控下会表现出铁电性能,进而表现出负电容效应,降低器件的标准开关功率损耗。Ga As基化合物半导体作为高迁移率器件基底已经广泛应用于微电子器件领域,然而基于Ga As化合物半导体上Hf O2的薄膜铁电性没有得到完善的表征。在本文中,通过原子层沉积技术在Ga As半导体上制备了5 nm厚度的La掺杂Hf O2超薄膜,利用压电响应力显微镜的新型技术对Ga As衬底上Hf La Ox超薄膜的铁电性能进行表征。结果显示,通过退火在5nm的Hf La Ox薄膜中引入应变,导致Hf La Ox薄膜显示显示出本征铁电性。这些研究结果为制备铁电负电容晶体管的提供实验基础,有望为低功耗器件的发展提供支持,促进便携式设备和物联网等领域的发展。
杨勇[8]（2021）在《二氧化钛基阻变材料电子结构与能量学研究》文中研究指明阻变存储器（RRAM）由于其较低的操作电压、良好的可延展性和耐受性等优点在嵌入式RRAM、独立式RRAM等领域应用广泛,因此,关于阻变机理的探索已经成为了RRAM研究的热点之一。近年来,人们对各种半导体材料的阻变现象进行了深入的研究,其中二氧化钛是最经典的电阻材料之一。随着国内外对多种材料阻变现象的研究日益深入,在阻变机制、逻辑电路等方面的研究已经取得了很大进展,如在阻变材料中引入氧空位或元素掺杂都可以极大地改善其性能。在TiO2基的RRAM器件中,氧空位（VO）对性能的改善起着至关重要的作用,因此可以通过控制氧空位的浓度来实现较宽范围的阻变。但是,对于具有氧空位团簇的TiO2的电子性能及其电阻转换机制还缺乏系统的研究。这些研究对于从根本上理解电阻变化以及调整或优化TiO2基阻变材料的阻变性能,是非常必要的。本文用第一性原理方法研究了金红石型TiO2中的氧空位对其电子性能和电阻开关性能的影响。第一,利用GGA方法及Hubbard U的校正来研究金红石型TiO2。对TiO2的各种参数和性能进行了测试,并与实验数据进行了比较。第二,用GGA+U方法深入研究具有单个氧空位的TiO2,在此过程中使用了不同的Hubbard U参数,并研究了U参数对特征能级的影响。结果表明,有效U为3 e V的计算结果,自洽地地解释了大量实验中所普遍观察到的特征能级。第三,使用有效U为3 e V的GGA+U方法,计算了TiO2中不同分布方式的两个、三个和四个氧空位的能带结构,并且系统地研究了各种氧空位浓度对TiO2电子结构和电阻性能的影响。研究发现:从能量学的角度来讲氧空位以VO-Ti-VO链的形式积聚在TiO2中,结构最为稳定。而且VO-Ti-VO链在TiO2的带隙内产生多个能级。TiO2在VO-Ti-VO链的作用下具有导电性,其电荷密度分析显示出具有连续的电荷分布,从而形成导电路径,有效地解释了导电机理。而其他的氧空位分布或构型则导致了孤立的电荷分布,使系统处于绝缘状态。上述氧空位构型和相关电导率反映了电阻随氧空位浓度和分布方式的变化而变化,合理地解释了含有氧空位TiO2的阻变机理。这项工作的结果为TiO2阻变机理提供了更深入的认识,对拓宽和优化TiO2基阻变材料和器件的应用具有重要的意义。
王宏[9]（2021）在《基于二维层状材料新型忆阻器的光电特性与行为机制研究》文中认为忆阻器（Memristor）作为第四种电路基本元件,具有结构简单、读写速度快、能耗低、存储密度高等优势,有望突破摩尔定律的极限。模拟式的类脑神经计算和数字式的状态逻辑运算是忆阻器实现信息存储与计算融合的两种方式。尽管忆阻器的研究呈爆炸式增长,但在目前仍处于初级阶段,忆阻材料、阻变机制、模拟可调性、节能、可靠性、异质集成和多功能实现等方面仍存在许多未解决的问题。因此,开发新的忆阻材料,多途径探究阻变机制,明确参数演变规律,并以此为基础进行功能（如:突触、数字识别和逻辑功能等）拓展,是当下急需开展的研究工作。二维层状材料因其独特可调的电子结构及丰富的物理、化学性质,在能源转化与存储、电子器件等领域具有广阔的应用前景。本文以Sn Se等二维层状材料为研究对象,从制备工艺、物理机制、性能特征和光电调控功能实现等方面,探索了其在忆阻器领域的新应用。论文主要研究内容如下:一、利用脉冲激光沉积技术制备了高质量的Sn Se薄膜,并借助掩膜技术构建了Au/Sn Se/NSTO（7%Nb:Sr Ti O3）结构的原型忆阻器件。实验结果显示,所制备的Sn Se薄膜具有铁电性,由于其铁电极化对器件结区耗尽层宽度和势垒高度的调制作用,使得该忆阻器可实现电导精确可调和二阶忆阻行为。将具有纳秒脉宽的刺激脉冲施加于该器件,成功模拟了尖峰时序依赖可塑性（STDP）和双脉冲易化（PPF）两种神经突触行为,其能耗仅为66 f J。此外,该器件还可以实现手写体数字识别功能,其精确度可达82.51%。二、在上述工作基础上,制备了Pd/Sn1-xSe/NSTO和Ag/Sn1-xSe/NSTO结构的忆阻器。该Pd/Sn1-xSe/NSTO忆阻器的整体性能表现优于一般器件,特别是稳定性、单元之间的差异性、耐久性,开关功率可达约4.1μW和61μW。利用第一性原理计算预测了钯（Pd）导电细丝在Sn1-xSe薄膜中形成和断裂的可能性,并结合高分辨透射电子显微镜和X射线能谱分析仪,直接在Sn1-xSe层中观察到形成的Pd细丝。金属钯比银具有更高的热动力学稳定性和更低的迁移率,因此基于Pd导电细丝机制的器件性能更加稳定。该器件除了能实现突触功能外,还可以实现简单计数和加法的运算功能。三、制备了双端Au/Sn Se/graphene/Si O2/Si和Ti/Bi OI/FTO（Sn O2:F）忆阻器件。多层二维石墨烯电极材料的引入,使Sn Se基忆阻器的开关功率达16.7 n W和2.3 n W。通过透射电镜及XPS深度分析,对比处于高阻态和低阻态下器件的元素分布,证实了上述两种结构忆阻器的阻变机制均源于锡空位和氧空位导电细丝形成和断裂。基于空位细丝机制的忆阻器件能模拟突触的长时增强（LTP）和短期抑制（LTD）,还能完成STDP和PPF的记忆,与学习规则。四、利用PLD技术制备了大面积多层二维Bi2Te2.7Se0.3薄膜并构建了Pd/Bi2Te2.7Se0.3/Si O2/Si结构的多功能光电耦合忆阻器件。研究了0 m W、5 m W、50 m W和100 m W四种强度的405 nm波长紫光信号和电信号对该器件内部电导的调节。该器件不但能实现“或”门功能,由于光电子再俘获而具有的非挥发性,还能实现信息长期存储;与此同时,该光电耦合器件的电阻对光强有一定的依赖性,致使其可实现多级存储和光信息解调功能。总之,该单个忆阻器件就可以同时实现解调、运算和存储功能。
徐妹娌[10]（2021）在《构建复合型铁电栅绝缘层提升有机晶体管非易失性存储器性能的研究》文中研究表明有机存储器在汽车电子、航空航天、可穿戴设备、柔性手持设备等领域具有非常广阔的应用前景。近年来,随着柔性电子产品和可穿戴智能设备的兴起,有机存储器因具有诸多优点,例如制备工艺简单、成本低、功耗低、可大面积制备、柔性等,引起研究人员的广泛重视。在多种结构的有机存储器中,铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器（Fe-OFET-NVM）具备结构简单、非破坏性读出、易于集成、高集成密度的优势,在下一代新型的存储器件中具有非常广阔的市场开发前景。目前,绝大多数已报道的Fe-OFET-NVM普遍性存在擦写工作电压较高、场效应迁移率较低的问题,严重阻碍了其商业化发展。其擦写工作电压较高的主要原因在于:这些Fe-OFET-NVM的铁电栅绝缘层所使用的二元铁电聚合物poly（vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene）[P（VDF-TrFE）]的矫顽电场高达50 MV/m;迁移率较低的原因在于:铁电聚合物P（VDF-TrFE）粗糙的薄膜表面和其表面的极化波动对沟道内的电荷传输有明显的不利影响。本文以解决Fe-OFET-NVM普遍性存在擦写工作电压较高和场效应迁移率较低这两项问题为主要研究内容,开展了以下的系统性研究工作,并取得了如下成果:1.基于相位分离技术制备了P（VDF-TrFE）:Poly（methyl methacrylate）（PMMA）复合型的铁电栅绝缘层,提升了Fe-OFET-NVM器件的存储性能。基于P（VDF-TrFE）与PMMA的混合溶液,采用旋涂工艺制备铁电栅绝缘层时,两者自发性发生垂直的相位分离:PMMA聚集在有机半导体与P（VDF-TrFE）之间,改善了铁电栅绝缘层/有机半导体的界面态,提升了Fe-OFET-NVM的场效应迁移率。系统性研究了两者的比例对复合型铁电栅绝缘层的形貌、微结构和存储器的场效应迁移率、存储窗口、保持特性和存储耐久性之间的关联性。结果表明:在P（VDF-TrFE）:PMMA最佳比例为90:10,此时,Fe-OFET-NVM的平均迁移率高达1.96 cm2/Vs,可靠的存储耐久性超过400次循环,稳定的保持特性超过6×104秒。基于1/f噪声特性分析,讨论了PMMA对存储器性能提升的作用。实验数据证实了:使用复合型铁电栅绝缘层,能允许通过合理减薄栅绝缘层的厚度这一策略来显着降低存储器的擦写电压。采用P（VDF-TrFE）:PMMA比例为90:10、厚度较薄（290 nm）的复合型铁电栅绝缘层,研制的Fe-OFET-NVM的擦写电压可低至±20 V,并具有可靠的400个擦写循环耐久性和6×104秒的保持时间。2.采用厚度为650 nm的单层铁电聚合物poly（vinylidene-fluoride-trifluoroethy-lene-chlorotrifluoroethylene）[P（VDF-TrFE-CTFE）]作为栅绝缘层,获得了擦写电压低至±15 V的Fe-OFET-NVM。其能实现低电压擦写,主要归功于P（VDF-TrFE-CTFE）具有明显较低的低矫顽电场（Ec≈14 MV/m）。为进一步提升存储器的场效应迁移率,作者基于相位分离技术,构建了P（VDF-TrFE-CTFE）:poly（styrene）（PS）复合型铁电栅绝缘层。旋涂P（VDF-TrFE-CTFE）:PS的混合溶液时,两者发生相位分离,使得PS聚集在P（VDF-TrFE-CTFE）表层。系统性研究了P（VDF-TrFE-CTFE）:PS的混合比例对复合型铁电薄膜的铁电特性、薄膜形貌、以及器件的存储性能的影响。结果表明:最佳的P（VDF-TrFE-CTFE）:PS混合比例是90:10;在此条件下,该Fe-OFET-NVM的平均场效应迁移率为0.22 cm2/Vs,擦写工作电压为±10 V,可靠的存储耐久性超过150个循环,稳定的保持时间超过1×104秒。制备的柔性Fe-OFET-NVM具有良好的机械柔韧性,在弯曲曲率半径为5.5 mm时弯曲1000次后,器件性能只是轻微下降。该研究结果为获得低电压工作的Fe-OFET-NVM提供了简单有效的实验方法。3.为在保持低电压擦写的前提下,进一步提升Fe-OFET-NVM的场效应迁移率,作者设计并制备了基于P（VDF-TrFE-CTFE）/四十四烷（TTC）复合型铁电栅绝缘层的柔性Fe-OFET-NVM。系统性研究了TTC的厚度与P（VDF-TrFE-CTFE）薄膜表面的覆盖率和存储器的场效应迁移率、存储窗口和存储开关比的关系,分析了存储性能提升的物理机制。结果表明:使用单分子层的TTC薄膜修饰P（VDF-TrFE-CTFE）的表面,显着提升了Fe-OFET-NVM的场效应迁移率,迁移率高达0.5 cm2/Vs,擦写电压低至±15V,可靠的存储耐久性超过1000次循环,稳定的数据保持时间超过6000秒。器件还呈现出了优秀的机械弯曲耐用性,良好的热稳定性和空气稳定性。该研究结果为提高Fe-OFET-NVM迁移率的工作提供了有效的思路。4.构建了基于P（VDF-TrFE-CTFE）/AlOx/PMMA结构的复合型铁电栅绝缘层,在纸张衬底上获得了具有多级存储功能的高性能Fe-OFET-NVM。该复合型铁电栅绝缘层结构解决了器件制备的工艺兼容性;系统性研究了复合型栅绝缘层的结构与存储器的场效应迁移率、存储窗口、存储开关比的关系。分析了基于P（VDF-TrFE-CTFE）/AlOx/PMMA的复合型铁电栅绝缘层能够增大设定擦写电压对铁电薄膜的极化程度的可控性、进而获得多级存储功能的物理机制。实验结果:在纸张衬底上制备的Fe-OFET-NVM的场效应迁移率高达0.92 cm2/Vs,分别在设定的+40,-20,-30,和-40 V的4级擦写电压下、在单个器件中获得了4级（二位）的信息存储功能。多位存储器呈现出可靠的4级擦写循环耐久性达到100次循环,稳定的4级数据存储保持时间超过2万秒。制备在纸张衬底上的多位Fe-OFET-NVM还呈现出了良好的均匀性、耐湿性、耐热性和长期寿命稳定性。作者的研究结果为克服当前Fe-OFET-NVM普遍性存在的擦写电压过高、场效应迁移率较低这两个严重制约其发展的瓶颈问题,提供了良好的解决方案。
二、存储有望再现“摩尔定律”（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、存储有望再现“摩尔定律”（论文提纲范文）
（1）先进光刻技术：导向自组装（论文提纲范文）
| 1 微相分离原理 |
| 2 嵌段共聚物 |
| 3 导向自组装 |
| 3.1 物理外延法 |
| 3.1.1 电子束光刻 |
| 3.1.2 纳米压印光刻 |
| 3.1.3 深紫外光刻 |
| 3.1.4 紫外光刻 |
| 3.2 化学外延法 |
| 3.2.1 极紫外光刻 |
| 3.2.2 电子束光刻 |
| 3.2.3 扫描探针光刻 |
| 3.2.4 深紫外光刻 |
| 3.2.5 紫外光刻 |
| 3.3 边界外延法 |
| 3.4 剪切力诱导法 |
| 3.5 激光诱导法 |
| 3.6 电场诱导法 |
| 4 退火工艺 |
| 4.1 热退火 |
| 4.2 溶剂退火 |
| 4.3 溶剂退火联合热退火 |
| 4.4 微波退火 |
| 4.5 等离子体退火 |
| 5 图形转移 |
| 5.1 干法刻蚀 |
| 5.2 湿法刻蚀 |
| 5.3 连续渗透沉积 |
| 5.4 湿法沉积 |
| 5.5 剥离 |
| 6 应用 |
| 6.1 晶体管：FinFET |
| 6.2 存储器 |
| 6.3 硬盘： BPM |
| 6.4 光子器件 |
| 7 工业化 |
| 7.1 线条结构 |
| 7.2 孔状结构 |
| 7.3 挑战 |
| 8 结论与展望 |
（6）网络媒体电子竞技传播效果的影响因素与评价体系研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 电子竞技风靡世界:认可与质疑并存 |
| 1.1.2 电子竞技媒介传播成为新的研究议题 |
| 1.1.3 影响因素与评价体系是指导电竞传播实践的重要抓手 |
| 1.2 研究目的意义 |
| 1.2.1 研究目的 |
| 1.2.2 研究意义 |
| 1.3 研究对象与研究方法 |
| 1.3.1 研究对象 |
| 1.3.2 研究方法 |
| 1.4 研究内容与研究思路 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 研究思路 |
| 1.5 研究创新点 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 相关概念厘定 |
| 2.1.1 电子竞技 |
| 2.1.2 网络媒体 |
| 2.1.3 传播效果 |
| 2.1.4 网络媒体电子竞技传播效果 |
| 2.2 核心理论 |
| 2.2.1 大众传播的游戏理论 |
| 2.2.2 游戏批评理论体系 |
| 2.2.3 框架理论 |
| 2.3 国内外研究现状 |
| 2.3.1 国外关于电子竞技与游戏化传播的研究 |
| 2.3.2 国内关于电子竞技媒介传播的研究 |
| 2.3.3 国内外关于网络媒体传播效果的影响因素与评价体系研究 |
| 2.3.4 文献述评 |
| 3 网络媒体电子竞技传播效果的形成与结构 |
| 3.1 网络媒体电子竞技传播效果发生机制 |
| 3.1.1 网络媒体电子竞技传播效果发生机制的构成要素 |
| 3.1.2 具身体验视域下的网络商业思维形塑 |
| 3.1.3 数字劳动视域下的网络文化关系建构 |
| 3.1.4 网络媒体电子竞技传播效果发生机制的反思与启示 |
| 3.2 网络媒体电子竞技传播同游戏的范式勾连 |
| 3.2.1 盈余时代与电子竞技娱乐本质之间的关系建构 |
| 3.2.2 互联网“下半场”的受众变革与媒体转型 |
| 3.2.3 网络媒体电子竞技传播的社会性与时代思维 |
| 3.3 网络媒体电子竞技传播效果的内涵结构 |
| 3.3.1 文本层面:游戏表象中的文本呈现 |
| 3.3.2 体验层面:“双环境化”的主观体验 |
| 3.3.3 劳动层面:主体询唤下的价值生产 |
| 3.3.4 网络媒体电子竞技传播效果的结构与性质 |
| 本章小结 |
| 4 网络媒体电子竞技传播效果的影响因素 |
| 4.1 网络媒体电子竞技传播效果影响因素的质性研究过程 |
| 4.1.1 研究方法的选择——扎根理论分析法 |
| 4.1.2 网络媒体电子竞技传播效果影响因素的研究背景 |
| 4.1.3 访谈提纲的拟定与专家选择 |
| 4.1.4 访谈过程与资料整理 |
| 4.2 网络媒体电子竞技传播效果影响因素的三级编码结果 |
| 4.2.1 开放式编码 |
| 4.2.2 主轴编码 |
| 4.2.3 选择性编码 |
| 4.2.4 理论饱和度检验 |
| 4.3 网络媒体电子竞技传播效果影响因素模型阐释 |
| 4.3.1 用户差异 |
| 4.3.2 环境条件 |
| 4.3.3 平台建设 |
| 4.3.4 盈利能力 |
| 4.3.5 责任意识 |
| 4.3.6 创新实践 |
| 本章小结 |
| 5 基于影响因素的理论对话与问题分析 |
| 5.1 网络媒体电子竞技传播效果影响因素模型的理论检验 |
| 5.1.1 同“发生机制”与“O-S-O-R”模式的理论对话 |
| 5.1.2 同“游戏范式”与游戏化传播模型的理论对话 |
| 5.1.3 同电子竞技与体育传播效果影响因素的理论对话 |
| 5.2 基于影响因素的中国网络媒体电子竞技传播问题分析 |
| 5.2.1 商业创收层面 |
| 5.2.2 责任履行层面 |
| 5.2.3 文化创新层面 |
| 5.2.4 网络媒体电子竞技传播实践的趋势特点 |
| 本章小结 |
| 6 网络媒体电子竞技传播效果的评价体系 |
| 6.1 网络媒体电子竞技传播效果评价体系构建的基础 |
| 6.1.1 建构方法的选择——德尔菲法 |
| 6.1.2 网络媒体电子竞技传播效果评价体系中的操作性定义 |
| 6.1.3 网络媒体电子竞技传播效果评价体系构建的背景 |
| 6.1.4 网络媒体电子竞技传播效果评价体系构建的原则 |
| 6.2 网络媒体电子竞技传播效果评价体系构建的过程与结果 |
| 6.2.1 初拟指标体系 |
| 6.2.2 咨询专家基本情况 |
| 6.2.3 第一轮专家咨询结果与指标修正 |
| 6.2.4 第二轮专家咨询结果与确定指标权重 |
| 6.3 评价体系的使用方法、指标内涵与关系阐释 |
| 6.3.1 网络媒体电子竞技传播效果评价体系的使用方法 |
| 6.3.2 网络媒体电子竞技传播效果评价体系的指标内涵 |
| 6.3.3 网络媒体电子竞技传播效果评价体系的关系阐释 |
| 本章小结 |
| 7 基于评价体系的实证评估与比较研究 |
| 7.1 网络媒体电子竞技传播效果的评价过程 |
| 7.1.1 评价方法的选择——模糊综合评价法 |
| 7.1.2 评价对象的介绍 |
| 7.1.3 相关材料的收集与整理 |
| 7.1.4 网络媒体电子竞技传播效果评价的操作步骤 |
| 7.2 网络媒体电子竞技传播效果的评价结果 |
| 7.2.1 T体育媒体英雄联盟S10 传播效果评价结果 |
| 7.2.2 H直播平台2020CF全明星赛传播效果评价结果 |
| 7.2.3 评价结果的现实审视 |
| 7.3 网络媒体电子竞技传播效果评价体系的比较研究 |
| 7.3.1 硬性量化指标已是兵家必争之地 |
| 7.3.2 “玩法”的效果呈现愈发受到重视 |
| 7.3.3 品牌构建的能力认定关注度升级 |
| 7.3.4 网络媒体电子竞技传播效果评价体系的优势与不足 |
| 本章小结 |
| 8 网络媒体电子竞技传播效果的优化策略 |
| 8.1 观念层面:网络媒体应构建符合现实情境的电竞传播理念 |
| 8.1.1 摆正心态,认清网络媒体电子竞技传播的现实处境 |
| 8.1.2 打牢基础,理解网络媒体电子竞技传播的文化内涵 |
| 8.2 路径层面:网络媒体应参考游戏理论设计电竞传播思路 |
| 8.2.1 提升文本呈现的完整度和新颖性,保证用户认知的正向性 |
| 8.2.2 强化复合现实的情景体验,保证用户情感输出的积极性 |
| 8.2.3 坚持平台化的媒介转型,保证用户生产的时间与效率 |
| 8.3 要素层面:培育网络媒体电子竞技传播的优质环境 |
| 8.3.1 塑造媒介文化,加强自我完善 |
| 8.3.2 依托政策支持,配合政府管理 |
| 8.3.3 加强行为监督,提升用户素养 |
| 8.3.4 拓展外部渠道,强化产业融合 |
| 8.3.5 针对现实需求,培养优质人才 |
| 本章小结 |
| 9 结论与建议 |
| 9.1 主要研究结论 |
| 9.2 研究不足 |
| 9.3 研究建议 |
| 主要参考文献 |
| 附录 |
| 附录1:实践调查走访提纲 |
| 附录2:扎根理论分析专家访谈提纲 |
| 附录3:相关调查文本材料(节选) |
| 附录4:网络媒体电子竞技传播效果评价体系专家咨询表(R1) |
| 附录5:网络媒体电子竞技传播效果评价体系专家咨询表(R2) |
| 附录6:网络媒体电子竞技传播效果调查问卷(样张) |
| 致谢 |
| 博士在读期间论文发表情况 |
| 学习经历 |
（7）对应力发光材料CaTiO3:Pr3+局域压电性和薄膜HfLaOx铁电性的探究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 引言 |
| 1.1 压电性与铁电性概述 |
| 1.1.1 压电性与铁电性 |
| 1.1.2 压电材料与铁电材料 |
| 1.2 应力发光材料及其发光机理 |
| 1.2.1 应力发光材料及其发展现状 |
| 1.2.2 应力发光材料的发光机理 |
| 1.3 铁电负电容晶体管 |
| 1.3.1 负电容场效应晶体管 |
| 1.3.2 氧化铪基的铁电材料 |
| 1.4 本论文研究内容及意义 |
| 第二章 CaTiO_3:Pr~(3+)材料和HfLaO_x薄膜的制备及表征方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.1.1 CaTiO_3:Pr~(3+)样品的制备 |
| 2.1.2 HfLaO_x薄膜的制备 |
| 2.2 结构和形貌表征 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.3 发光性能表征 |
| 2.3.1 紫外/可见分光光度计 |
| 2.3.2 荧光光谱仪 |
| 2.3.3 微机热释光计量仪 |
| 2.3.4 应力发光测试 |
| 2.3.5 摩擦力发光测试 |
| 2.4 压电性及铁电性表征 |
| 2.4.1 压电响应力显微镜原理 |
| 2.4.2 极化翻转谱压电响应力显微方法 |
| 2.4.3 线性和非线性谐振响应测试方法 |
| 2.4.4 铁电分析仪 |
| 第三章 CaTiO_3:Pr~(3+)材料中局域压电性诱导的应力发光机理 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 样品制备 |
| 3.2.2 性能表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 结构及形貌 |
| 3.3.2 光学性能 |
| 3.3.3 应力发光性能 |
| 3.3.4 局域压电性诱导的应力发光机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于GaAs上生长的La掺杂HfO_2薄膜的铁电性 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 样品的制备 |
| 4.2.2 性能表征 |
| 4.3 结果及讨论 |
| 4.3.1 结构及形貌 |
| 4.3.2 压电性与铁电性 |
| 4.3.3 电学性能 |
| 4.4 小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（8）二氧化钛基阻变材料电子结构与能量学研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1.绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 阻变存储材料简介及工作原理 |
| 1.2.1 阻变储存材料简介 |
| 1.2.2 阻变存储器的基本工作原理 |
| 1.3 阻变存储器面临的问题及二氧化钛基阻变存储材料的优势 |
| 1.3.1 阻变存储器面临的问题及发展趋势 |
| 1.3.2 二氧化钛基阻变存储材料的优势 |
| 1.4 理论研究的重要性 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 2.理论模型与方法 |
| 2.1 二氧化钛的模型选择 |
| 2.2 密度泛函理论 |
| 2.2.1 交换关联近似与泛函 |
| 2.2.2 能带结构 |
| 2.2.3 态密度及PDOS |
| 2.2.4 DFT+U |
| 2.2.5 电荷密度 |
| 2.3 VASP简介及其优势 |
| 2.3.1 VASP软件介绍 |
| 2.3.2 VASP软件的优势 |
| 2.4 本章小结 |
| 3.二氧化钛的基本结构与性能 |
| 3.1 GGA结果 |
| 3.2 GGA+U结果 |
| 3.3 GGA和 GGA+U结果比较及有效U的选择 |
| 3.4 本章小结 |
| 4.含单个氧空位的二氧化钛的电子结构与性能 |
| 4.1 GGA和 GGA+U结果 |
| 4.2 有效U的选择 |
| 4.3 氧空位的形成能 |
| 4.4 超晶胞大小的比较(2×2×3与3×3×4) |
| 4.5 本章小结 |
| 5.含有多氧空位的二氧化钛的电子结构与性能 |
| 5.1 双氧空位的构型及稳定构型的确定 |
| 5.2 双氧空位下超晶胞大小的选择与比较 |
| 5.3 三个氧空位结果 |
| 5.4 不同构型四个氧空位的电子结构和性能 |
| 5.5 本章小结 |
| 6.氧空位浓度对导电性能的影响 |
| 6.1 导电性能的变化 |
| 6.2 氧空位分布对导电性能的影响 |
| 6.3 本章小结 |
| 7.总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所取得的研究成果 |
| 致谢 |
（9）基于二维层状材料新型忆阻器的光电特性与行为机制研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 忆阻器起源 |
| 1.2 忆阻器简介 |
| 1.2.1 功能层材料 |
| 1.2.2 制备工艺及表征手段 |
| 1.2.3 物理机制 |
| 1.2.4 忆阻器应用 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 界面工程 |
| 1.3.2 功能材料的元素掺杂 |
| 1.3.3 低维材料的引入 |
| 1.4 论文选题意义及主要研究内容 |
| 1.4.1 论文选题意义 |
| 1.4.2 论文主要研究内容 |
| 第二章 基于铁电极化效应的Au/SnSe/NSTO二阶忆阻器研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 二维SnSe材料铁电性理论预测 |
| 2.2.1 理论计算方法 |
| 2.2.2 铁电性计算结果 |
| 2.3 靶材富硒含量对SnSe薄膜及其忆阻器件特性的影响 |
| 2.3.1 SnSe薄膜及Au/SnSe/NSTO器件的制备 |
| 2.3.2 不同硒含量的SnSe薄膜表征 |
| 2.3.3 硒含量对Au/SnSe/NSTO器件忆阻特性影响 |
| 2.4 铁电二阶忆阻器电阻转换机制及其应用探索 |
| 2.4.1 二维铁电SnSe材料薄膜表征 |
| 2.4.2 二维SnSe材料铁电性及忆阻特性研究 |
| 2.4.3 Au/SnSe/NSTO二阶忆阻器的铁电机制 |
| 2.4.4 Au/SnSe/NSTO二阶忆阻器的应用 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于Pd导电细丝机制的Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO高稳定性忆阻器研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Sn_(1-x)Se材料薄膜厚度对忆阻性能影响 |
| 3.2.1 Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO器件的制备 |
| 3.2.2 功能层材料厚度对Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO忆阻器电学特性的影响 |
| 3.2.3 Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO忆阻器的电阻转换机制猜想 |
| 3.3 基于Pd导电细丝的高稳定性忆阻器及其应用 |
| 3.3.1 Sn1-xSe材料表征 |
| 3.3.2 基于Pd导电丝的高稳定性忆阻器阻变特性 |
| 3.3.3 Pd/Sn_(1-x)Se/NSTO忆阻器件的Pd导电丝机制 |
| 3.3.4 Pd导电丝机制理论预测 |
| 3.3.5 基于Pd导电细丝高稳定忆阻器的应用 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 基于空位导电细丝机制的忆阻器研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于锡空位导电细丝机制的低功耗忆阻器研究 |
| 4.2.1 多层二维SnSe和 graphene材料及器件制备与表征 |
| 4.2.2 Au/SnSe/graphene/SiO_2/Si器件电学特性及突触应用 |
| 4.2.3 Au/SnSe/graphene/SiO_2/Si器件锡空位导电细丝机制 |
| 4.3 基于氧空位导电细丝机制的忆阻器研究 |
| 4.3.1 纵向二维BiOI材料制备 |
| 4.3.2 纵向二维BiOI材料微观形貌 |
| 4.3.3 Ti/BiOI/FTO结构器件制备 |
| 4.3.4 Ti/BiOI/FTO器件的电学特性及突触应用 |
| 4.3.5 Ti/BiOI/FTO器件氧空位导电细丝机制 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料多功能光电耦合忆阻器研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 多层二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料制备及表征 |
| 5.2.1 多层二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料制备 |
| 5.2.2 多层二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料微观形貌 |
| 5.3 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2/Si光电器件制备及其光电性能 |
| 5.3.1 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2器件制备 |
| 5.3.2 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2器件光电特性 |
| 5.4 Pd/Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)/SiO_2/Si器件机理 |
| 5.5 二维Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)材料器件的应用 |
| 5.5.1 布尔逻辑“或”门运算 |
| 5.5.2 非易失多级存储 |
| 5.5.3 光电信息解调 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 创新点 |
| 6.2 主要工作总结 |
| 6.3 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 |
（10）构建复合型铁电栅绝缘层提升有机晶体管非易失性存储器性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 铁电聚合物PVDF系列简述 |
| 1.3 铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器简介 |
| 1.3.1 铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器的器件结构 |
| 1.3.2 铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器的工作原理 |
| 1.3.3 铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器的性能指标 |
| 1.4 铁电型有机场效应晶体管非易失性存储器现阶段存在的主要问题 |
| 1.5 论文研究思路及章节安排 |
| 第二章 基于P(VDF-TrFE):PMMA共混体系的Fe-OFET-NVM性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 器件的制备 |
| 2.2.1 材料和溶液的准备 |
| 2.2.2 器件的制备流程 |
| 2.3 基于单层P(VDF-TrFE)结构的Fe-OFET-NVM |
| 2.4 P(VDF-TrFE):PMMA混合薄膜的表征分析 |
| 2.4.1 表面能的测试与分析 |
| 2.4.2 AFM分析 |
| 2.4.3 XPS分析 |
| 2.4.4 XRD分析 |
| 2.5 电学性能测试与讨论 |
| 2.5.1 P(VDF-TrFE):PMMA混合薄膜的铁电特性 |
| 2.5.2 基于P(VDF-TrFE):PMMA体系的Fe-OFET-NVM存储性能 |
| 2.5.3 基于P(VDF-TrFE):PMMA体系的 Fe-OFET-NVM的1/f噪声特性 |
| 2.5.4 基于P(VDF-TrFE):PMMA体系的低电压Fe-OFET-NVM的电学特性 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 基于P(VDF-TrFE-CTFE)/PS复合栅绝缘体的柔性低电压Fe-OFET-NVM的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 器件的制备 |
| 3.2.1 材料和溶液的准备 |
| 3.2.2 器件的制备流程 |
| 3.3 铁电聚合物P(VDF-TrFE-CTFE)的铁电行为 |
| 3.4 单层P(VDF-TrFE-CTFE)结构的Fe-OFET-NVM电学性能 |
| 3.5 双层P(VDF-TrFE-CTFE)/PS结构的Fe-OFET-NVM电学性能 |
| 3.6 P(VDF-TrFE-CTFE):PS混合薄膜表征与分析 |
| 3.6.1 AFM分析 |
| 3.6.2 水接触角测试与分析 |
| 3.6.3 XRD分析 |
| 3.7 P(VDF-TrFE-CTFE):PS共混体系的Fe-OFET-NVM电学性能 |
| 3.7.1 P(VDF-TrFE-CTFE):PS混合薄膜的铁电特性 |
| 3.7.2 不同的P(VDF-TrFE-CTFE):PS复合型栅绝缘层对Fe-OFET-NVM的影响 |
| 3.7.3 柔性最佳Fe-OFET-NVM的机械弯曲耐用性 |
| 3.8 本章小结 |
| 第四章 TTC钝化层提升Fe-OFET-NVM存储性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 器件的制备 |
| 4.2.1 材料和溶液的准备 |
| 4.2.2 器件的制备流程 |
| 4.3 薄膜表征与分析 |
| 4.3.1 TTC不同分子层厚度的AFM分析 |
| 4.3.2 有源层pentacene的 AFM和 XRD |
| 4.4 电学性能测试与讨论 |
| 4.4.1 TTC钝化层对Fe-OFET-NVM电学性能的影响 |
| 4.4.2 柔性Fe-OFET-NVM的稳定性测试 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 多级存储的纸基Fe-OFET-NVM |
| 5.1 引言 |
| 5.2 纸基存储器制备 |
| 5.2.1 材料和溶液的准备 |
| 5.2.2 器件的制备流程 |
| 5.3 纸张基底表征 |
| 5.4 电学性能与讨论 |
| 5.4.1 单层P(VDF-TrFE-CTFE)结构的纸基Fe-OFET-NVM |
| 5.4.2 双层P(VDF-TrFE-CTFE)/PMMA结构的纸基Fe-OFET-NVM |
| 5.4.3 双层 P(VDF-Tr FE-CTFE)/Al Ox 结构的纸基 Fe-OFET-NVM |
| 5.4.4 P(VDF-Tr FE-CTFE)/Al Ox/PMMA 三层结构的多级存储 Fe-OFET-NVM |
| 5.4.5 多级存储的纸基Fe-OFET-NVM性能的统计分布 |
| 5.4.6 多级存储的纸基Fe-OFET-NVM的弯曲耐用性测试 |
| 5.4.7 多级存储的纸基Fe-OFET-NVM的环境稳定性测试 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及攻读博士学位期间所取得的研究成果 |
| 致谢 |
四、存储有望再现“摩尔定律”（论文参考文献）
- [1]先进光刻技术：导向自组装[J]. 胡晓华,熊诗圣. 应用化学, 2021(09)
- [2]The Globotics Upheaval:Globalization,Robotics, and the Future of Work（节选）英汉翻译实践报告[D]. 赵雅新. 沈阳理工大学, 2021
- [3]《技术陷阱》（第十二章）翻译报告[D]. 钟世莉. 西南大学, 2021
- [4]微小焊点Sn/ENIG等温时效与电迁移[D]. 徐健豪. 哈尔滨工业大学, 2021
- [5]《量子计算及其在空气动力学中的应用前景》英译实践报告[D]. 王紫云. 哈尔滨工业大学, 2021
- [6]网络媒体电子竞技传播效果的影响因素与评价体系研究[D]. 杨赫. 上海体育学院, 2021(09)
- [7]对应力发光材料CaTiO3:Pr3+局域压电性和薄膜HfLaOx铁电性的探究[D]. 杨柳. 青岛大学, 2021
- [8]二氧化钛基阻变材料电子结构与能量学研究[D]. 杨勇. 中北大学, 2021(09)
- [9]基于二维层状材料新型忆阻器的光电特性与行为机制研究[D]. 王宏. 河北大学, 2021(09)
- [10]构建复合型铁电栅绝缘层提升有机晶体管非易失性存储器性能的研究[D]. 徐妹娌. 吉林大学, 2021(01)